SLM21867是（shì）一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提（tí）供独（dú）立的（de）高边、低边输出驱动（dòng）信号。采用专（zhuān）有的（de）高（gāo）压集（jí）成电路和（hé）锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑（jí）输入电（diàn）平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低支持3.3V逻辑。输（shū）出驱动（dòng）器具有（yǒu）高脉冲电流（liú）缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频设备。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达600V。
为自举供电（diàn）设计的（de）浮动通道（dào）
全电压范围运行达600V
低VCC工（gōng）作范（fàn）围
允许瞬态（tài）负电压（yā），不（bú）受dV/dt影响
驱动电（diàn）源（yuán）范围（wéi）从7V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V逻辑兼（jiān）容
输（shū）入有下拉电阻的COMS斯密特触（chù）发器
两（liǎng）通道间匹配（pèi）传输延时
输入输出同相
典型开通/关断（duàn）延时（shí）：170ns/170ns
典（diǎn）型驱（qū）动电流：2.5A/3.5A
400 080 9938
